Resumo
O aumento na performance e velocidade de dispositivos eletrônicos com integração em ultra-alta escala (ULSI) é obtida pela redução das suas dimensões. A fabricação de camadas dopadas finas (< 50 nm), com altas concentrações de dopantes eletricamente ativos é um grande desafio tecnológico. A necessidade de controlar essas propriedades dos perfis dopados dirigiu o estudo da implantação i…