Resumo
O presente projeto tem como objetivo a investigação em escala atômica de materiaisnano-estruturados de óxidos semicondutores por meio da medida das interações hiperfinas (HFI) ede cálculos de primeiros princípios. Óxidos semicondutores puros e principalmente dopados commetais apresentam propriedades extremamente interessantes que os tornam candidatos a serusados em aplicações tecnológicas…