Resumo
Neste projeto de pesquisa o aluno irá desenvolver as etapas de processos de fabricação de HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor), cujo as camadas do emissor são do tipo AlGaAs e InGaP e estudar as diferentes estruturas. Para efetuar esse trabalho o aluno contará com laboratórios dedicados ao processamento de dispositivos eletrônicos do DSIF/FEE e também do LPD/IFGW da UNICAMP que estão …