Resumo
Dar continuidade ao crescimento de camadas epitaxiais de compostos semicondutores do grupo IV-VI (PbSnTe) através da técnica de Hot Wall Epitaxy HWE para investigação de suas propriedades e desenvolvimento de dispositivos opto-eletrônicos para o infravermelho termal (5 - 15 μm). Instalação e insumos necessários à operação de um sistema de Molecular Beam Epitaxy MBE, modelo 32P da Rib…