CV Lattes
Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Armando Corbani Ferraz concluiu o doutorado em Física [Sp-Capital] pela Universidade de São Paulo em 1979. Professor Titular do Instituto de Física da Universidade de São Paulo, Pró-Reitor de Pós-Graduação da USP no período de 2005 a 2009. Publicou 92 artigos em periódicos especializados, 2 livros, 1 capítulo de livro e 127 trabalhos em anais de eventos. Possui 28 itens de produção técnica. Participou de 41 eventos internacionais e 39 nacionais. Orientou 10 dissertações de mestrado e co-orientou 2, orientou 8 teses de doutorado e co-orientou 1 tese de doutorado na área de Física. Recebeu 1 prêmio e/ou homenagem da Sociedade Brasileira de Física. Atua na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, Atômica e Molecular. Em seu currículo Lattes os termos mais freqüentes na contextualização da produção científica, tecnológica e artístico-cultural são: Surfaces, Adsorption, Pós-Graduação, Interfaces, Semiconductors e Stability. (Fonte: Currículo Lattes)
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Fotos-sensibilização ocorre quando compostos fotoativos absorvem luz e a transferem para moléculas vizinhas, de tal forma que a energia luminosa é transformada em química. A natureza utiliza os processos de fotos-sensibilização de forma organizada e controlada. No entanto, estes processos podem ficar descontrolados, gerando espécies reativas, que causam danos em células em tecidos, por ex…
Estudo dos processos microscópicos relacionados à adsorção/dissociação de átomos e moléculas sobre superfícies semicondutoras, determinando seu papel precursor na formação de interfaces, crescimento epitaxial e passivação de superfícies. Em particular, estaremos verificando a ação dos agentes passivadores (NH4)2S e (NH2)2CS sobre as superfícies GaAs(001) e InP(001). Adicionalmente, será e…
Dentro deste projeto pretendemos desenvolver um modelo que possibilite a determinação das barreiras de energia e o caminho seguido pelos constituintes de uma molécula, quando de sua dissociação sobre uma superfície semicondutora, bem como seu papel como precursor no crescimento epitaxial de heteroestruturas e na formação de interfaces. Essas grandezas serão determinadas a partir do mapeam…
Nosso projeto consiste em estudar a estrutura eletrônica de impurezas substitucionais de oxigênio e nitrogênio em arseneto de gálio e o mecanismo de passivação destes centros por meio da incorporação de átomos de hidrogênio. Estes átomos leves são os principais contaminantes nos processos de crescimento de semicondutores, devido principalmente a sua alta difusibilidade, daí a importância …
Desenvolvimento de projetos relacionados ao estudo teórico de Superfícies Semicondutores junto ao grupo do Prof. G. P. Srivastava da Universidade de Exeter (Inglaterra), pelo período de 1 mês. Especificamente estaremos estudando adsorção de átomos em superfícies do grupo II-VI, que tem sua reconstrução muito marcada pela ionicidade da superfície e inclusão da "correção de caroço" aos cálc…