Resumo
O intuito deste projeto é estudar heteroestruturas semicondutoras de interesse atual usando espectroscopia óptica, para obter informação em pesquisa fundamental bem como otimizar parâmetros de crescimento de epitaxia por feixe molecular, MBE. As heteroestruturas compreendem: compostos temários InGaN de baixa dimensionalidade e sistemas semicondutores III-V de gap grande incluindo GaN (hex…