CV Lattes
Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Graduado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1983), mestre em Eletrônica e Telecomunicações-Semicondutores pelo Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (1986) e doutor em Física de Semicondutores - Johannes Kepler Universität-Linz (1995). Atualmente é Professor Titular na Universidade Federal de Viçosa. Atua na área de Física da Matéria Condensada, com ênfase em crescimento e caracterização de semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: técnicas de crescimento epitaxial (HWE, MBE), nanoestruturas (poços e pontos quânticos) e caracterização de materiais (difração de raios-x, microscopia de força atômica). (Fonte: Currículo Lattes)
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Heteroestruras de compostos IV-VI (PbTe-PbSnTe) crescidas sobre substratos de Si e BaF2 por epitaxia de feixes moleculares (MBE) serão caracterizadas à baixas temperaturas, utilizando-se a técnica de transmissão no infravermelho. A partir do "fiting" das curvas de transmissão, pretende-se obter o coeficiente de absorção e outras propriedades óticas destas estruturas. As medidas serão feit…
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