Resumo
Este projeto visa a deposição e caracterização de filmes finos de GaAs dopados com Er e/ou Yb pelo processo de evaporação resistiva. A ênfase principal será dada à investigação das propriedades de transporte elétrico em conjunção com as propriedades ópticas, visando a exploração em dispositivos optoeletrônicos. De modo geral é proposta a verificação da incorporação destes íons terras-rara…