Resumo
Este trabalho objetiva o estudo de dispositivos SOI (Silicon-On-Insulator), com ênfase nos efeitos do auto-aquecimento, causado pela baixa condutibilidade térmica do filme de SiO2 enterrado. Em regime de alto consumo de potência, um aumento demasiado na temperatura da rede cristalina é ocasionado. Sua principal consequência é o efeito de condutância diferencial negativa, manifestada em di…