Resumo
No projeto da tese são utilizadas lâminas de Heteroestruturas AlGaAs/GaAs crescidas por BEM, este processamento iniciou-se Tsukuba-Shi, japão, para fabricação de dispositivos HEMT; para tanto, foram realizadas: a caracterização elétrica das lâminas através do Efeito Hall e Shubnkov-de Haas; desenvolvimento de toda tecnologia de fabricação (primeiro desenvolvimento deste dispositivo no paí…