Resumo
Neste trabalho far-se-á um estudo da obtenção de camadas ultra-finas de óxido de silício (SiO2) e oxi-nitretos (SiOxNy) de alta qualidade com espessuras na faixa de 3 a 10nm e também com interfaces Si-Si02 ou Si-SiOxNy muito planas de forma a se obter características elétricas de porta melhoradas compatíveis com altíssima escala de integração para circuitos integrados (GSI: Giga Scale Int…