Resumo
A região espectral do terahertz, localizada entre 0.1 e 10 THz (0.41 a 41 meV), é extremamente apropriada para caracterização de propriedades de transporte em semicondutores na escala bulk ou nano escala devido à forte interação da radiação terahertz com cargas livres. Devido a sua baixa energia por fóton (0.41 a 41 meV), também tem sido amplamente utilizada na caracterização de excitaçõe…