Resumo
Esta proposta tem como finalidade manter a continuidade do estudo e desenvolvimento de dispositivos, semicondutores e metálicos baseados em óxidos metálicos como o In2O3 e o SnO2, realizados no Laboratório de Semicondutores/DF-UFSCar. Tais materiais apresentam-se como excelentes candidatos à construção de diversos dispositivos eletrônicos, desde de sensores de gás até transistores. Aqui é…