Resumo
Heteroestruturas baseadas em nitreto de boro cúbico (c-BN) e diamante têm sido sugeridas como promissoras para transistores de efeito de campo, porém são necessários mais estudos para confirmar seu potencial. Neste trabalho, será realizado um estudo teórico da heteroestrutura c-BN/diamante, com interfaces orientadas na direção [111], por meio de simulações de dinâmica molecular (DM). O fo…