Paulo Henrique de Oliveira Rappl

Bacharel e Licenciado em Física, pela Pontifícia Universidade Católica de São Paulo, colou grau em fevereiro/1981; no mesmo ano, iniciou a pós-graduação, em programa de Mestrado, no Instituto de Física de São Carlos (USP), com ênfase na simulação hidrodinâmica de convecção forçada no processo Czochralski, objetivando o crescimento de monocristais volumétricos de alta qualidade. Nesse ínterim, através de contrato de trabalho, como assistente de pesquisa, ingressou no CNPq - Instituto de Pesquisas Espaciais em setembro de 1984. Com a transferência do programa de mestrado, a dissertação foi, por conseguinte, concluída, em 1987, no atual Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, INPE, na área de Eletrônica e Telecomunicações / Materiais. A interdisciplinaridade e originalidade do assunto demandou a coorientação dos professores, Hans J. Scheel, introdutor da técnica ACRT, e Dr. Jerzy T. Sielawa. O programa de Doutorado, em Engenharia Aeronáutica e Mecânica na Área de Materiais, no Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ITA, concluído em 1998, voltou-se aos interesses do INPE, no que tange ao crescimento de filmes finos de telureto de chumbo e estanho, Pb(1-x)Sn(x)Te, por epitaxia de feixe molecular, MBE, e a investigação de suas propriedades: morfológicas, estruturais e elétricas, com a orientação do Dr. Irajá N. Bandeira.No Laboratório Associado de Sensores e Materiais, LAS/INPE, atuou no programa de pesquisa e desenvolvimento de dispositivos infravermelhos, inicialmente, com realce em crescimento de cristais volumétricos de compostos IV-VI, em particular, o telureto de chumbo, PbTe; telureto de estanho, SnTe, e suas ligas ternárias, Pb(1-x)Sn(x)Te, pelos métodos de Bridgman e transporte por fase vapor e, também, haletos alcalinos pelo método de Czochoralski. Desde 1991, ocupa-se com o crescimento de filmes finos, epitaxiais e monocristalinos, inicialmente, por meio de feixes - de compostos IV - VI - termicamente colimados, HWE, e depois por MBE, de 1995 em diante. Em atividades de gestão, chefiou o LAS e, simultaneamente, como substituto, coordenou os Laboratórios Associados de outubro/2012 a fevereiro/2015. Como chefe substituto do LAS, respondeu por duas gestões: outubro/2010 a outubro/2012; janeiro/2007 a março/2009.No INPE, tornou-se servidor público em dezembro de 1990; atualmente ocupa o cargo de tecnologista sênior III, no topo do plano de carreiras federal. Na área de Física, detém expertise em crescimento por MBE e caracterização elétrica, resistividade e efeito Hall, de filmes epitaxiais monocristalinos de compostos IV-VI, em particular: PbTe, SnTe, e seus compostos ternários Pb(1-x)Sn(x)Te, além das ligas crescidas com európio, Pb(1-x)Eu(x)Te. Também acumula experiência no crescimento epitaxial de telureto de európio, EuTe, e telureto de bismuto, Bi2Te3. Para fins específicos, esses compostos podem ser crescidos em camadas simples ou em estruturas compostas do tipo super-redes, poços e pontos quânticos.Em programas de aperfeiçoamento científico no exterior, destacam-se: Johannes Kepler Universität Linz - Institut für Halbleiterphysik, Linz, Austria. Programa RHAE/CNPq, processo 460151/05-9 (NV), período: 05/07 a 05/08/1995, com a supervisão do Dr. Günther G. Bauer e acompanhamento do Dr. Günther Springholz, com ênfase no crescimento epitaxial, por MBE, de compostos IV - VI;Pós - Doutorado, University of Oklahoma, School of Electrical and Computer Engineering, Norman, USA, com auxílio da FAPESP, processo 2000/02415-3, período: 08/2000 a 08/2001, com a supervisão do Dr. Patrick J. McCann. Em poucas palavras, o programa consistiu no aprimoramento das etapas do processo de fabricação de lasers semicondutores IV-VI. Neste caso, a inovação envolve o acondicionamento da cavidade ressonante sobre material metálico por meio da remoção do substrato termo-resistivo e sua substituição por material, não cristalino, com alta condutividade térmica.Docente no programa de pós-graduação em Engenharia e Tecnologias Espac (Fonte: Currículo Lattes)