CV Lattes
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Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Engenharia Quimica pela Universidade Presbiteriana Mackenzie (1985), mestrado em Engenharia Metalúrgica no Departamento de Engenharia Metalúrgica e Materiais (1994) e doutorado em Engenharia Elétrica (2000) ambos pela Universidade de São Paulo. Atualmente é professora de ensino superior do Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza (CPS) e Especialista em Laboratório na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Engenharia de Materiais e Elétrica com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: eletrofiação de nanofibras, montagem eletrônica e placas de circuitos impressos. Tem experiência também em deposição de de filmes finos por PECVD. (Fonte: Currículo Lattes)
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Neste trabalho será estudada a influência da geometria da câmara de deposição PECVD, através da variação da distância entre eletrodos, nas características físicas dos filmes do óxido de silício. O objetivo é depositar filmes de óxido de silício com baixo estresse, alta taxa de deposição e boa uniformidade para serem utilizados como camada sacrifical em microfabricação de sensores. (AU)
Este trabalho tem por objetivo a obtenção de filmes de óxido de silício para serem aplicados como camada sacrificial em microfabricação de dispositivos. Os filmes serão obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma (PECVD), através da reação de tetraetilortosilicato (TEOS) e oxigênio. (AU)
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