Resumo
Neste trabalho serão fabricados capacitores MOS com porta de silício policristalino em várias condições de oxidação e limpeza química. Serão realizadas medidas da curva capacitância-tensão (C-V) e corrente-tensão (I-V) destes capacitores para caracterizar a qualidade dos dispositivos e, principalmente, comparar as diferentes condições de processamento (oxidação/limpeza) para a otimização …