| Texto completo | |
| Autor(es): |
de Souza, Adelcio M.
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Celino, Daniel R.
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Ragi, Regiane
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Romero, Murilo A.
Número total de Autores: 4
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | 2024 IEEE 24TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY, NANO 2024; v. N/A, p. 6-pg., 2024-01-01. |
| Resumo | |
This paper presents a physics-based model for ballistic field-effect nanotransistors, focusing on devices based on a two-dimensional indium selenide (InSe) channel. Through an analytical solution of the Poisson equation and making use of the Landauer formalism, we derive concise expressions for current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics. Validation of the resulting curves is performed against numerical simulations and experimental data, demonstrating an excellent agreement. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 18/13537-6 - Modelagem compacta de transistores MOS baseados em efeitos quânticos |
| Beneficiário: | Adelcio Marques de Souza |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 21/06569-1 - Tecnologias estratégicas para internet de alta velocidade |
| Beneficiário: | Evandro Conforti |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |