Cálculos ab initio do alinhamento de bandas em nanofios de InP

Resumo

O crescimento de nanofios semicondutores revelou a possibilidade de estabilização da fase wurtzita em materiais que apresentam simetria tipo blenda de zinco quando amostras "bulk" são crescidas. Na prática, a pequena diferença na energia das duas fases gera a possibilidade de escolha da fase dominante através das condições de crescimento, mas gera também falhas de empilhamento que se organizam na simetria desfavorecida. Efeitos de confinamento de cargas devido ao descasamento das estruturas de bandas das duas fases serão inevitáveis. Com o objetivo de separar este efeito de outros presentes na caracterização óptica dos nanofios, este projeto de pesquisa propõe a realização de cálculos "ab initio" do alinhamento de bandas na interface de sistemas InP wurtzita com falhas de empilhamento tipo blenda de zinco e vice-versa. Lembrando que descasamento de bandas em interfaces entre estruturas distintas não são de fácil determinação experimental, realizaremos estes cálculos também em sistemas InAs / InP tipo blenda de zinco considerando cada um dos compostos como determinante do parâmetro de rede no plano da interface. Os resultados obtidos serão de grande importância para os colaboradores experimentais que esperam suporte teórico para as medições realizadas e a serem feitas. (AU)