International Integrated Reliability Workshop

Processo:	14/18210-4
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
Data de Início da vigência:	12 de outubro de 2014
Data de Término da vigência:	16 de outubro de 2014
Área do conhecimento:	Engenharias - Engenharia Elétrica

Pesquisador responsável:	Roberto Lacerda de Orio
Beneficiário:	Roberto Lacerda de Orio

Instituição Sede:	Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil

Assunto(s):	Confiabilidade Semicondutores
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:	confiabilidade \| Dispositivos Semicondutores \| Interconexões de cobre \| Micro e Nanoeletrônica \| Confiabilidade em micro e nanoeletrônica

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:

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Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

DE ORIO, R. L.; GOUSSEAU, S.; MOREAU, S.; CERIC, H.; SELBERHERR, S.; FARCY, A.; BAY, F.; INAL, K.; MONTMITONNET, P.; IEEE. On the Material Depletion Rate due to Electromigration in a Copper TSV Structure. 2014 IEEE INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT (IIRW), v. N/A, p. 4-pg., 2014-01-01. (14/18210-4)

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