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Estudo de Sensores Químicos de Elemento Único a base de semicondutores de óxidos metálicos

Processo: 17/26219-0
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de maio de 2018
Data de Término da vigência: 30 de abril de 2020
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Marcelo Ornaghi Orlandi
Beneficiário:Marcelo Ornaghi Orlandi
Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Pesquisadores associados:Anderson André Felix ; Mario Cilense ; Pedro Henrique Suman ; Ranilson Angelo da Silva
Assunto(s):Propriedades elétricas  Semicondutores  Óxidos metálicos  Cerâmicas  Sensores químicos 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Cerâmicas | micro | nanofabricação | óxidos metálicos | propriedades elétricas | semicondutores | Sensores Químicos | óxidos metálicos

Resumo

Neste projeto de pesquisa é proposto um estudo detalhado das resposta como sensor de gás de dispositivos baseados em estrutural unidimensionais. Para tanto, diferentes estequiometrias de nanofitas de óxido de estanho (SnO2, SnO e Sn3O4) sintetizadas pelo método de redução carbotérmica serão utilizadas como elementos sensíveis. Os materiais obtidos serão caracterizados por difração de raios-X (DRX), microscopia eletrônica de transmissão (MET) e de varredura (MEV), microscopia de força atômica (MFA), além de espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS) e por ultravioleta (UPS). O método de sputtering e microscopia de feixe duplo (FIB) serão utilziadas para construir sensors compost de (a) nanoestrutura semicondutora do tipo-n, (b) nanoestrutura semicondutora do tipo-p, (c) duas estruturas semicondutoras (uma do tipo-n e outra do tipo-p) para criar uma junção p-n. A resposta dos dispositivos como sensor de gás será analizada após a exposição dos mesmos a baixas concentrações (níveis de ppm) de gases oxidants e redutores em diferentes temperaturas. O maior desafio deste projeto é a construção de um dispositivo sensor "3 em 1" que permita medir simutaneamente as propriedades de cada canal individualmente, ou seja, medir o canal "n", medir o canal "p" e medir a junção "p-n". O focus do projeto será em enterder e melhorar o desempenho destes materiais como sensor de gás permitindo o desenvolvimento de sensors de alta performance e baixo consume de energia, que possui grande potencial tecnológico de aplicações. (AU)

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Publicações científicas (20)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
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