Spin em nanoestruturas semicondutoras

Resumo

Nanoestruturas semicondutoras III-V com incorporação do elemento antimônio destacam-se pelo forte acoplamento spin-órbita e que resulta em interessantes fenômenos de spin em experimentos optoeletrônicos. Graças a melhoria nas técnicas de crescimento, a qualidade recente alcançada no crescimento destas ligas tem impulsionado a pesquisa neste campo de atuação. Este projeto é dedicado, portanto, a duas linhas de pesquisa envolvendo antimonetos. Na primeira delas, estruturas contendo pontos quânticos de InAs seguidos pelo crescimento de uma camada de GaAsSb possuem suas transições ópticas permitidas manipuladas de acordo com a concentração do antimônio, em que para valores específicos, a transição fundamental pode ser do tipo-I ou II. Desta maneira, a dinâmica de recombinação é controlada com o objetivo da obtenção de resultados relevantes no ramo da spintrônica. No segundo tópico, propomos a investigação de um ramo chamado de plasmônicas, em que pontos quânticos serão os emissores de luz acoplada com superfície metálica para a geração de plasmons de superfície. Juntos, estes tópicos cobrem interessantes áreas de pesquisa de física básica e aplicações em ramos da interface spin-fótons e plasmônica. (AU)