Modelagem de MOSFETs alterados por dose total ionizante (TID) usando redes neurais artificiais

Resumo

A radiação ionizante absorvida por dispositivos semicondutores pode alterar suas propriedades através da modificação dos parâmetros elétricos que os caracterizam e, no caso de memórias ou processadores, pode modificar a informação contida nesses dispositivos. Estes efeitos são especialmente importantes em ambientes cuja exposição à radiação seja bastante intensa, como, por exemplo, no caso de satélites, aceleradores de partículas, reatores nucleares, equipamentos médicos entre outros. Este projeto tem como objetivo utilizar um modelo de rede neural para reproduzir o comportamento de MOSFETs quando submetidos a alterações por danos de radiação ionizante. Para isso, o aluno deverá realizar uma pesquisa bibliográfica sobre as alterações já conhecidas nestes dispositivos semicondutores. A partir das alterações esperadas implementar e testar um modelo de rede neural, bem como o algoritmo de treinamento para reproduzir tais alterações. Tal modelo neural poderá então ser utilizado para simular o comportamento de circuitos e sistemas quando o MOSFET é alterado por radiação ionizante. O projeto, portanto, têm aderência aos seguintes setores de tecnologias estratégicas: Inteligência Artificial, Nuclear e Espacial.(AU)