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Crescimento de monocristais do composto quase-unidimensional Bi4I4 e do semicondutor Rashba BiTeI

Processo: 23/11836-4
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Mestrado
Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2023
Data de Término da vigência: 31 de maio de 2024
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Valentina Martelli
Beneficiário:Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca
Supervisor: Geetha Balakrishnan
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: University of Warwick, Inglaterra  
Vinculado à bolsa:22/00992-2 - Estudo das propriedades de transporte do composto quase-unidimensional Bi4I4, BP.MS
Assunto(s):Isolantes topológicos   Materiais quânticos   Bismuto   Termoeletricidade
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Bismuth-compounds | thermoelectricity | Topological Insulators | Quantum materials

Resumo

O objetivo desta bolsa de estágio no exterior é apoiar a estadia do aluno de Mestrado na Universidade de Warwick (UK) durante um período de 6 meses com o objetivo de crescer e caracterizar monocristais de alta qualidade de dois compostos de Bismuto, Bi4I4 (nas duas fases alpha e beta) e do BiTeI, junto ao grupo da Profa. Geetha Balakrishna. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
CASSEMIRO, GUSTAVO H.; HINOSTROZA, C. DAVID; DE FARIA, LEANDRO RODRIGUES; MAYOH, DANIEL A.; LIU, JIE; AGUIAR, MARIA C. O.; LEES, MARTIN R.; BALAKRISHNAN, GEETHA; JIMENEZ, J. LARREA; MACHADO, ANTONIO JEFFERSON DA SILVA; et al. Role of native point defects and Hg impurities in the electronic properties of Bi4I4. PHYSICAL REVIEW B, v. 110, n. 22, p. 9-pg., . (18/08845-3, 18/19420-3, 22/00992-2, 23/11836-4)