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Estudo das propriedades de transporte do composto quase-unidimensional Bi4I4

Processo: 22/00992-2
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Mestrado
Data de Início da vigência: 01 de abril de 2022
Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2024
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Acordo de Cooperação: Sociedade Max Planck para o Avanço da Ciência
Pesquisador responsável:Valentina Martelli
Beneficiário:Cristhian David Hinostroza Vargas Machuca
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:18/19420-3 - Termoeletricidade e transporte térmico em materiais topológicos, AP.JP
Bolsa(s) vinculada(s):23/11836-4 - Crescimento de monocristais do composto quase-unidimensional Bi4I4 e do semicondutor Rashba BiTeI, BE.EP.MS
Assunto(s):Materiais quânticos
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Bismuth-compounds | thermoelectricity | Topological Insulators | Quantum materials

Resumo

O objetivo deste projeto é avançar no entendimento das propriedades de transporte termoeletrico em presença de uma topologia não trivial na estrutura das bandas eletrônicas.Para isso, realizaremos uma investigação sistemática do composto Bi4I4 monocristalino (tanto na fase ± quanto ²), estudando suas propriedades estruturais e de transporte (elétrico, térmico e termoelétrico). Uma parte relevante deste projeto é a adaptação de uma plataforma experimental dedicada a experimentos de transporte térmico em baixas temperaturas (até 1,5K) e sob campo magnético externo (até 9T) para amostras de tamanho reduzido. (AU)

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Publicações científicas
(As publicações científicas contidas nesta página são originárias da Web of Science ou da SciELO, cujos autores mencionaram números dos processos FAPESP concedidos a Pesquisadores Responsáveis e Beneficiários, sejam ou não autores das publicações. Sua coleta é automática e realizada diretamente naquelas bases bibliométricas)
CASSEMIRO, GUSTAVO H.; HINOSTROZA, C. DAVID; DE FARIA, LEANDRO RODRIGUES; MAYOH, DANIEL A.; LIU, JIE; AGUIAR, MARIA C. O.; LEES, MARTIN R.; BALAKRISHNAN, GEETHA; JIMENEZ, J. LARREA; MACHADO, ANTONIO JEFFERSON DA SILVA; et al. Role of native point defects and Hg impurities in the electronic properties of Bi4I4. PHYSICAL REVIEW B, v. 110, n. 22, p. 9-pg., . (18/08845-3, 18/19420-3, 22/00992-2, 23/11836-4)
HINOSTROZA, DAVID; DE FARIA, LEANDRO RODRIGUES; CASSEMIRO, GUSTAVO H.; JIMENEZ, J. LARREA; MACHADO, ANTONIO JEFFERSON DA SILVA; BRITO, WALBER H.; MARTELLI, VALENTINA. Structural investigation of the quasi-one-dimensional topological insulator Bi4I4. PHYSICAL REVIEW B, v. 109, n. 17, p. 10-pg., . (21/08966-8, 21/14322-6, 18/19420-3, 22/00992-2)
Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MACHUCA, Cristhian David Hinostroza Vargas. Investigação da estabilidade estrutural e o efeito da formação de defeitos nas propriedades eletrônicas de isolantes topológicos em compostos de bismuto. 2024. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.