| Processo: | 21/08966-8 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de agosto de 2022 |
| Data de Término da vigência: | 30 de novembro de 2024 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica |
| Pesquisador responsável: | Antonio Jefferson da Silva Machado |
| Beneficiário: | Leandro Rodrigues de Faria |
| Instituição Sede: | Escola de Engenharia de Lorena (EEL). Universidade de São Paulo (USP). Lorena , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Crescimento de cristais |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Crescimento de Cristais | intercalação | Novos supercondutores | propriedades de multi-banda | propriedades dos dicalcogenetos | semimetal de Dirac | crescimento de cristais e novos materiais supercondutores com características tipológicas não triviais |
Resumo Este plano de trabalho versa sobre o crescimento de cristais de alta qualidade pelo novo método de crescimento desenvolvido em nosso grupo de pesquisa na EEL-USP, de dicalcogetos que cristalizam no protótipo CdI2. Resultados preliminares mostrados neste plano, revelam que é possível crescer cristais de alta qualidade por este novo método, representado pela intercalação de terras raras descritos pela família representado pela fórmula química: TRxZrTe2, onde TR = Terras Raras. Cálculos de estrutura de bandas, bem como alguns resultados reportados na literatura, mostram que este tipo de protótipo apresenta uma topologia não trivial e, neste sentido, a supercondutividade oriunda deste protótipo pode ser exemplo claro de supercondutores topológicos não artificiais. Além destes aspectos relevantes para a Física da Matéria Condensada, o plano apresentado a seguir pretende complementar a formação do referido candidato, nesta área efervescente e intrigante da nova Física da Matéria Condensada. | |
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