Estudo da reentrância e tunelamento eletrônico em supercondutores das famílias Re3M (M = W, Mo, Nb, Ta) e MX3 (M = Zr, Nb; X= Te, Se)

Resumo

O presente plano de trabalho propõe tanto o estudo experimental da reentrância supercondutora em materiais supercondutores não centrossimétricos (NCS) Re3M (M = W, Mo, Nb, Ta) e tricalcogenetos MX3 (M = Zr, Nb; X= Te, Se) quanto a implementação da técnica de espectroscopia de tunelamento eletrônico em materiais supercondutores. O estudo sistemático da reentrância supercondutora será conduzido através de medidas resistivas como função do campo magnético externo, com o objetivo de avaliar a correlação entre reentrância, anisotropia, simetria do gap supercondutor, desordem, e efeitos de flutuação. Nesse contexto, monocristais de alta qualidade dos materiais serão crescidos através das técnicas de transporte de vapor químico (Chemical Vapor Transport - CVT) e Czochralski. As medidas de tunelamento eletrônico serão feitas em dispositivos do tipo junções-túnel planares, que serão produzidos sobre os monocristais utilizando a deposição de filmes finos metálicos e isolantes, em estreita colaboração com o Laboratório Nacional de Nanotecnologia (LNNANO) do CNPEM. Além de avaliar os parâmetros de interesse para a ocorrência da reentrância, os resultados esperados deste projeto também têm o potencial de avançar no entendimento da simetria de pareamento em materiais NCS, além de tangenciar a discussão sobre a topologia do estado supercondutor em materiais quase bidimensionais como os tricalcogenetos, dada a capacidade da técnica de tunelamento eletrônico em provar diretamente o gap supercondutor e excitações de baixas energias no estado supercondutor. (AU)