Influência de efeitos externos nas propriedades de memória resistiva de filmes de óxidos metálicos semicondutores

Resumo

A crescente demanda por tecnologias de processamento de informação e sensoriamento mais avançadas, menores e mais eficazes impulsiona a procura pormateriais semicondutores de processamento simplificado, custo acessível, ecologicamente sustentáveis e com desempenho adequado para aplicações específicas.Um fenômeno intrigante que surge em dispositivos eletrônicos a base de óxidos semicondutores é o chamado efeito de memória resistiva. Comumente os materiais que exibem tal efeito são fabricados seguindo a estrutura metal-isolante-metal onde a camada isolante pode ser formada por um óxido semicondutor. No entanto, efeitos de memória resistiva também são observados em dispositivos em que a configuração é composta por contatos elétricos planares laterais. A compreensão dos mecanismos de condução eletrônica em configurações não convencionais, como contatos laterais, revela outras nuances relativas ao papel de outras variáveis, além da tensão elétrica, que influenciam os comportamentos memristivos dos materiais. Dentre muitas possíveis abordagens, a descrição do papel da superfície nesses processos é desafiadora. Este projeto de pesquisa de pós-doutorado visa realizar uma investigação sistemática sobre como fatores externos, como luz, atmosferas controladas e variação nos estímulos elétricos, impactam a dinâmica das propriedades de memória resistiva em filmes de óxidos metálicos semicondutores, em especial aqueles com geometria de contatos planares. O papel ativo da superfície dos filmes pode atuar como fator preponderante nos efeitos de memória de óxidos semicondutores. O projeto permitirá combinar experimento com teoria através da interação entre os grupos de Óxidos Semicondutores e de Nanoestruturas Semicondutoras da UFSCar.