Gás bi-dimensional de elétrons em heteroestrutura de semicondutores tensionados

• Processo: 92/03158-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1992
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1993
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Iikawa
• Beneficiário: Fernando Iikawa
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Heteroestruturas Poços quânticos Gás de elétrons bidimensional Problemas de muitos corpos Arsenieto de gálio Arsenieto de índio e gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camadas Tensionadas | Efeito De Muitos Corpos | Gas Bidimensional | Ingaas/Gaas | Pocos Quanticos | Semicondutores

Resumo

Neste projeto serão investigados as propriedades ópticas e magneto-ópticas do gás bidimensional em heteroestrutura de camadas tensionadas de InGaAs/GaAs. O objetivo fundamental do auxílio é implantar a técnica de medida magneto-óptica no grupo. A partir desta técnica pretendemos estudar o efeito de muitos corpos na presença do campo magnético. As amostras são poços quânticos de GaAs/InGaAs/AlGaAs crescidas por MOCVD dopadas com Si e Zn nas camadas de AlGaAs. Além desta técnica utilizaremos às de medidas ópticas como fotoluminescência, espectroscopia de modulação e fotoluminescência, espectroscopia de modulação e fotoluminescência de excitação. (AU)