Microscópio fototérmico de reflexão

• Processo: 93/03111-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 1996
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Antonio Manoel Mansanares
• Beneficiário: Antonio Manoel Mansanares
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Microscopia fototérmica Semicondutores

Resumo

O objetivo deste projeto é a montagem e aplicação de um Microscópio Fototérmico de Reflexão. Tal arranjo experimental permitirá o estudo de processos de difusão, térmica e eletrônica, em escala micrométrica. Seu princípio de funcionamento repousa na geração de ondas térmicas (e de plasma) numa amostra pela incidência de um feixe de laser modulado em intensidade e focalizado por um microscópio óptico (diâmetro do feixe na amostra de ~ 1.0μm); a detecção das ondas geradas é feita através da variação induzida do índice de refração, medindo-se a refletividade de um feixe de prova, também focalizado (~ 1.0μm de diâmetro). Com este aparato pode-se detectar micro-defeitos em materiais e dispositivos (fissuras, defeitos de adesão, deficiência local de contato elétrico); caracterizar interfaces de grãos em materiais policristalinos (cerâmicas, diamante sintético); determinar as propriedades térmicas (difusividade e condutividade) intra-grão destes mesmos materiais; determinar o campo local de temperatura de dispositivos eletrônicos e opto - eletrônicos em funcionamento, evidenciando zonas críticas de dissipação térmica; caracterizar localmente as propriedades eletrônicas e de transporte em dispositivos e materiais semicondutores. (AU)