Caracterização de defeitos em silício tipo P irradiado

• Processo: 93/04234-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1994
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Paulo Nubile
• Beneficiário: Paulo Nubile
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Células solares Silício Ensaios de defeitos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Celulas Solares | Defeitos Em Semicondutores | Niveis Profundos

Resumo

O objetivo do projeto é a montagem e a utilização de técnicas experimentais de caracterização de defeitos em semicondutores. As técnicas a serem implementadas são a espectroscopia capacitiva de níveis profundos (DLTS) e as técnicas de transitório de capacitância e corrente. Amostras de silício tipo P irradiadas com elétrons de 1 MeV e 2 MeV serão estudadas através das técnicas implementadas. A originalidade do trabalho vem do fato de que ainda não foi feito um estudo sistemático de amostras de silício irradiadas com elétrons de energia diferente de 1 MeV. As técnicas a serem implementadas poderão servir futuramente para a caracterização de muitos outros materiais semicondutores, como o arseneto de gálio, telureto de cádmio e outros. (AU)