Propriedades de impurezas rasas em heteroestruturas semicondutoras

• Processo: 95/00836-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1995
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1996
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira
• Beneficiário: Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Impurezas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Impurezas

Resumo

Este projeto é relacionado com o estudo de diversas propriedades de impurezas em heteroestruturas semicondutoras; esta área de pesquisa é de importância fundamental na microeletrônica atual e já realizamos pesquisa neste campo desde 1986, com a produção de um número considerável de trabalhos na párea. (AU)