Busca avançada
Ano de início
Entree

Propriedades de impurezas rasas em heteroestruturas semicondutoras

Processo: 95/00836-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de junho de 1995
Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1996
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira
Beneficiário:Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Impurezas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Impurezas

Resumo

Este projeto é relacionado com o estudo de diversas propriedades de impurezas em heteroestruturas semicondutoras; esta área de pesquisa é de importância fundamental na microeletrônica atual e já realizamos pesquisa neste campo desde 1986, com a produção de um número considerável de trabalhos na párea. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
Mais itensMenos itens
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)