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Fabricação de nanoestruturas naturais através da análise in situ em epitaxia por feixes moleculares

Processo: 95/03493-8
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1995
Data de Término da vigência: 31 de outubro de 1996
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Pierre Basmaji
Beneficiário:Pierre Basmaji
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Materiais nanoestruturados  Poços quânticos  Pontos quânticos 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Baixa Dimensionalidade | Defeito | Mbe | Pontos Quanticos | Superficie Interface

Resumo

Este projeto tem por objetivo a ampliação das facilidades em nível de caracterização de crescimento no grupo de física de semicondutores (GFS) do IFSC-USP. No momento, GFS/IFSC-USP dispõem de algumas facilidades em nível de fabricação de amostras semicondutoras de baixas dimensionalidade. As facilidades solicitadas neste projeto possibilitarão a obtenção de uma nova tecnologia capaz de gerar e caracterizar, in situ, amostras com dimensionalidade nanoscópica tais como poços, fios e pontos quânticos. (AU)

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