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Propriedades eletronicas das heteroestruturas semicondutoras e o spin dos portadores.

Processo: 96/00058-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de abril de 1996
Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1998
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Erasmo Assumpção de Andrada e Silva
Beneficiário:Erasmo Assumpção de Andrada e Silva
Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Interação spin-órbita 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Dinamica De Excitons | Heteroestruturas Semicondutora | Interacao Spin-Orbita | Polarizacao Luminescencia | Relaxamento De Spin

Resumo

Serão estudadas as propriedades eletrônicas, tanto óticas como de transporte, das heteroestruturas semicondutoras, levando-se em conta a variável de spin dos portadores (i.e. elétrons, buracos e éxcitons) e as interações que dela dependem, como o acoplamento spin-órbita e a interação de troca (i.e. excliange). Trabalhando dentro do tradicional formalismo da massa-efetiva ou função envelope, investigaremos alguns problemas de atual interesse internacional procurando assim estender a teoria com a inclusão de efeitos relacionados com o spin ou momento angular total dos portadores. Espera-se poder contribuir para a melhor compreensão da dinâmica de spin de éxcitons em poços quânticos e a determinação da polarização da luminescência. Serão analisados em particular os efeitos de localização por desordem na interface e de interação éxciton-éxciton. O fenômeno de tunelamento dependente de spin através de barreiras semicondutoras e a estrutura eletrônica de novas estruturas de compostos IV-VI também serão estudados durante os dois anos de projeto. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
ERASMO A. DE ANDRADA E SILVA; GIUSEPPE C. LA ROCCA. Spin-dependent resonant tunneling in semiconductor nanostructures. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 719-722, . (96/00058-1)