Propriedades eletronicas das heteroestruturas semicondutoras e o spin dos portadores.

Resumo

Serão estudadas as propriedades eletrônicas, tanto óticas como de transporte, das heteroestruturas semicondutoras, levando-se em conta a variável de spin dos portadores (i.e. elétrons, buracos e éxcitons) e as interações que dela dependem, como o acoplamento spin-órbita e a interação de troca (i.e. excliange). Trabalhando dentro do tradicional formalismo da massa-efetiva ou função envelope, investigaremos alguns problemas de atual interesse internacional procurando assim estender a teoria com a inclusão de efeitos relacionados com o spin ou momento angular total dos portadores. Espera-se poder contribuir para a melhor compreensão da dinâmica de spin de éxcitons em poços quânticos e a determinação da polarização da luminescência. Serão analisados em particular os efeitos de localização por desordem na interface e de interação éxciton-éxciton. O fenômeno de tunelamento dependente de spin através de barreiras semicondutoras e a estrutura eletrônica de novas estruturas de compostos IV-VI também serão estudados durante os dois anos de projeto. (AU)