Anodização de silício em soluções de HF para obtenção de silício poroso

• Processo: 96/04431-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1998
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Omar Teschke
• Beneficiário: Omar Teschke
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanopartículas Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Formacao De Nanoparticulas

Resumo

Estudar o processo de formação de silício poroso em soluções de HF com o objetivo de esclarecer os mecanismos de formação dos poros com diâmetro em torno de 15 angstrons. (AU)