Transporte eletrônico em sistemas mesoscópicos

• Processo: 02/11210-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2003
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2004
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Município da Instituição Sede: São Paulo
• Assunto(s): Física mesoscópica Pontos quânticos Semicondutividade Condução eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Bilhar Eletronico 3D | Pontos Quanticos | Sistemas Mesoscopicos | Transporte Eletronico

Resumo

Este projeto de pós-doutorado faz parte do projeto temático (Proc. 98/12779-0) cujo coordenador é o Prof José Roberto Leite. Pretende-se estudar as propriedades de transporte de sistemas mesoscópicos em heteroestruturas crescidas por epitaxia de feixe molecular (MBE). Isto é, a construção e caracterização de dispositivos mesoscópicos em heteroestruturas contendo o gás bidimensional de elétrons, em substratos não planares pré-padronizados de GaAs, poços quânticos parabólicos contendo super-redes de antipontos, e pontos quânticos em sistemas contendo o gás tridimensional de elétrons. Para tal, contamos com o equipamento de crescimento epitaxial do Laboratório de Novos Semicondutores do IFUSP, e conta-se também com a colaboração do Prof J. C. Portal do Centre National da Recherche Scientifiqué, de Grenoble, com reconhecida experiência no estudo de sistemas semicondutores em campos magnéticos intensos. A caracterização destes materiais será realizada empregando-se a infra-estrutura do grupo LNMS do IFUSP. (AU)