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Nanoestruturas de inas/gaas opticamente ativas em 1,3 um e 1,55 um para aplicacoes em optoeletronica.

Processo: 06/04485-5
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de novembro de 2006 - 31 de outubro de 2007
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Sandro Martini
Beneficiário:Sandro Martini
Instituição-sede: Faculdade de Tecnologia e Ciências Exatas. Universidade São Judas Tadeu (USJT). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Pontos quânticos  Fotoluminescência 

Resumo

O objetivo deste projeto é estudar as propriedades ópticas de pontos quânticos (quantumdots, QDs) de In(Ga)As auto-organizados sobre substratos de GaAs, opticamente ativos em1.3 e 1.55 µm. O plano de pesquisa propõe um estudo sistemático e detalhado utilizando atécnica de fotoluminescência (Photoluminescence, PL). Essas duas regiões de comprimentode onda correspondem aos mínimos de atenuação de sinal em fibras ópticas de silicatos. Entreos objetivos específicos a serem estudados estão: a dinâmica de portadores, os mecanismos defuga e a dependência da PL com a potência de excitação. (AU)