Dinâmica do magnetismo em nanocristais semicondutores

• Processo: 09/15007-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2010
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2012
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
• Beneficiário: Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Município da Instituição Sede: São Paulo
• Assunto(s): Magneto-óptica Nanocristais Semicondutores Spintrônica Pontos quânticos Fotoluminescência Impureza magnética Polarização de spin
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: dinâmica | impurezas magnéticas | Magneto-optica | pontos quânticos | semicondutores | Spintrônica | Física da Materia Condensada

Resumo

Pretende-se com este trabalho um entendimento das propriedades magnéticas de nanoestruturas semicondutoras epitaxiais, mais especificamente self-assembled quantum dots (SAQDs), ou pontos quânticos autoformados dopados com elétrons e com impurezas magnéticas. Este plano de trabalho define uma nova linha de pesquisa no IFUSP para o estudo da dinâmica dos spins eletrônicos confinados em nanoestruturas. Os experimentos propostos prevêem a utilização de espectroscopia magneto-óptica resolvida no tempo (efeito Kerr e Faraday), complementadas com medidas elétricas (capacitância - voltagem e corrente - voltagem, efeito Hall e Shubnikov de Haas) e medidas ópticas no regime continuo (fotoluminescência e fotoluminescência de excitação). Com a aquisição dos equipamentos solicitados, a implementação destas técnicas vai permitir o estudo de parâmetros fundamentais para a realização prática de dispositivos de spintrônica em estado sólido. Especificamente o projeto envolve aspectos de grande interesse: a) estudo da dinâmica da polarização do spin eletrônico para diferentes condições de carregamento em poços de AlGaAs e pontos quânticos semicondutores de InAs/GaAs e InP/GaAs, b) estudo do efeito de impurezas magnéticas (Mn) nas propriedades ópticas em pontos quânticos e através do mapeamento do fator g de Landé em medidas de capacitância-voltagem (AU)

Publicações científicas

(14)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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