Efeito Hall de spin em poços quânticos duplos e largos

Processo:	10/09880-5
Modalidade de apoio:	Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência:	01 de outubro de 2010
Data de Término da vigência:	30 de setembro de 2012
Área do conhecimento:	Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada

Pesquisador responsável:	Gennady Gusev
Beneficiário:	Gennady Gusev

Instituição Sede:	Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil

Município da Instituição Sede:	São Paulo

Assunto(s):	Semicondutores Poços quânticos Spintrônica Efeito Hall
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:	efeito hall \| Poços Quânticos \| Spintrônica \| Novos Materiais Semicondutores

Resumo

O spin do elétron é um tema de intensa investigação atualmente na área da spintrônica - uma nova e muito promissora linha de pesquisa que pode levar a importantes aplicações práticas na microeletrônica. O efeito Hall de spin é um método efetivo para variar a condução de corrente de spin num dispositivo de spin, fator chave em dispositivos spintrônicos. O objetivo principal deste projeto é o estudo do efeito Hall de spin em poços quânticos duplos de GaAs e InAs para aplicações em spintrônica. O foco principal desta proposta é a otimização da geometria da estrutura com o objetivo de aumentar a interação spin-órbita dos elétrons com a análise dos efeitos de spin em poços quânticos duplos. Este objetivo será alcançado através da realização de medidas de efeito de Kerr com resolução temporal e de transporte. Os benefícios deste projeto para o Brasil são o desenvolvimento de técnicas de crescimento necessárias para obter poços quânticos duplos de alta qualidade e a aplicação possível deste conhecimento (ou suas conseqüências) em futuros dispositivos. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:

Mais itens Menos itens

TITULO

Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ):

Mais itens Menos itens

VEICULO: TITULO (DATA)

Publicações científicas (4)

(As publicações científicas contidas nesta página são originárias da Web of Science ou da SciELO, cujos autores mencionaram números dos processos FAPESP concedidos a Pesquisadores Responsáveis e Beneficiários, sejam ou não autores das publicações. Sua coleta é automática e realizada diretamente naquelas bases bibliométricas)

HERNANDEZ, F. G. G.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.. Resonant optical control of the electrically induced spin polarization by periodic excitation. Physical Review B, v. 90, n. 4, JUL 14 2014. (10/09880-5, 13/03450-7, 09/15007-5)

HERNANDEZ, F. G. G.; NUNES, L. M.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 88, n. 16, OCT 29 2013. (10/09880-5, 13/03450-7, 09/15007-5)

HERNANDEZ, F. G. G.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.. Resonant optical control of the electrically induced spin polarization by periodic excitation. Physical Review B, v. 90, n. 4, p. 5-pg., 2014-07-14. (09/15007-5, 13/03450-7, 10/09880-5)

HERNANDEZ, F. G. G.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; IOP. Tuning of the Lande g-factor in AlxGa1-xAs/AlAs single and double quantum wells. WAKE CONFERENCE 2021, v. 456, p. 5-pg., 2013-01-01. (09/15007-5, 10/09880-5)

URL curto