Análise estrutural de nanoestruturas semicondutoras utilizando difração de raios-X com alta resolução

• Processo: 07/08609-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2008
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2010
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lisandro Pavie Cardoso
• Beneficiário: Lisandro Pavie Cardoso
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Cristalografia Difração por raios X Materiais nanoestruturados Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: difração de raios-X | Difração múltipla de raios-X | nanoestruturas semicondutoras | Cristalografia de raios-X

Resumo

O projeto tem como objetivo o estudo de propriedades estruturais em nanoestruturas semicondutoras epitaxiais obtidas pelo método de epitaxia por feixe químico (CBE) utilizando técnicas da difração de raios-X em geometria de alta resolução. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

DE MENEZES, ALAN S.; DOS SANTOS, ADENILSON O.; ALMEIDA, JULIANA M. A.; BORTOLETO, JOSE R. R.; COTTA, MONICA A.; MORELHAO, SERGIO L.; CARDOSO, LISANDRO P.. Direct Observation of Tetragonal Distortion in Epitaxial Structures through Secondary Peak Split in a Synchrotron Radiation Renninger Scan. Crystal Growth & Design, v. 10, n. 8, p. 3436-3441, AUG 2010. (07/08609-3)

LANG, ROSSANO; DE MENEZES, ALAN S.; DOS SANTOS, ADENILSON O.; REBOH, SHAY; MENESES, ELIERMES A.; AMARAL, LIVIO; CARDOSO, LISANDRO P.. X-ray Bragg-Surface Diffraction: A Tool to Study In-Plane Strain Anisotropy Due to Ion-Beam-Induced Epitaxial Crystallization in Fe+-Implanted Si(001). Crystal Growth & Design, v. 10, n. 10, p. 4363-4369, OCT 2010. (07/08609-3)