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Análise estrutural de nanoestruturas semicondutoras utilizando difração de raios-X com alta resolução

Processo: 07/08609-3
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de abril de 2008
Data de Término da vigência: 31 de março de 2010
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Lisandro Pavie Cardoso
Beneficiário:Lisandro Pavie Cardoso
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Cristalografia  Difração por raios X  Materiais nanoestruturados  Semicondutores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:difração de raios-X | Difração múltipla de raios-X | nanoestruturas semicondutoras | Cristalografia de raios-X

Resumo

O projeto tem como objetivo o estudo de propriedades estruturais em nanoestruturas semicondutoras epitaxiais obtidas pelo método de epitaxia por feixe químico (CBE) utilizando técnicas da difração de raios-X em geometria de alta resolução. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DE MENEZES, ALAN S.; DOS SANTOS, ADENILSON O.; ALMEIDA, JULIANA M. A.; BORTOLETO, JOSE R. R.; COTTA, MONICA A.; MORELHAO, SERGIO L.; CARDOSO, LISANDRO P.. Direct Observation of Tetragonal Distortion in Epitaxial Structures through Secondary Peak Split in a Synchrotron Radiation Renninger Scan. Crystal Growth & Design, v. 10, n. 8, p. 3436-3441, . (07/08609-3)
LANG, ROSSANO; DE MENEZES, ALAN S.; DOS SANTOS, ADENILSON O.; REBOH, SHAY; MENESES, ELIERMES A.; AMARAL, LIVIO; CARDOSO, LISANDRO P.. X-ray Bragg-Surface Diffraction: A Tool to Study In-Plane Strain Anisotropy Due to Ion-Beam-Induced Epitaxial Crystallization in Fe+-Implanted Si(001). Crystal Growth & Design, v. 10, n. 10, p. 4363-4369, . (07/08609-3)