Decaimento da fotoluminescência em a-Sii-xCx:H

• Processo: 96/05712-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Cooperação CNPq-FAPESP
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Acordo de Cooperação: CNPq - Programa Cooperação CNPq-FAPESP
• Pesquisador responsável: Leandro Russovski Tessler
• Beneficiário: Leandro Russovski Tessler
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Fotoluminescência Semicondutores Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estados Localizados | Fotoluminescencia | Ligas Semicondutoras | Recombinacao | Silicio Amorfo

Resumo

O projeto tem como objetivo avançar na compreensão dos mecanismos de recombinação radiativa em semicondutores amorfos, em particular, a-Si:H e a-Si1_xCx:H. Será montado um sistema de medidas de decaimento da fotoluminescência em função da temperatura com resolução espectral, nas regiões visível e infra-vermelho próximo. Serão medidas em um primeiro momento, amostras com 0<x<0,5. A médio prazo, os estudos serão estendidos às diferentes formas de a-C:H e polímeros. O projeto apoiará a tese de mestrado de Lucicleide R. Cirino, bolsista do CNPq. (AU)