Study of conditions for anisotropic plasma etching of tungsten nitride using sf6/ar gas mixtures.

• Processo: 02/06658-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Publicações científicas - Artigo
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2003
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Jacobus Willibrordus Swart
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Tungstênio Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ansiotropia | Corrosao ( Etching) | Modelo Cinetico | Plasma Reativo | Silicio | Tungstenio