Desenvolvimento de lasers de alta potência com emissão na região espectral de 800 a 1000 nm, baseado em heteroestruturas de GaAs/InGaAsP/InGaP

• Processo: 98/14859-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Parceria para Inovação Tecnológica - PITE
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1999
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Wilson de Carvalho Junior
• Beneficiário: Wilson de Carvalho Junior
• Instituição Sede: Centro de Pesquisa e Desenvolvimento (CPqD). Campinas , SP, Brasil
• Empresa: Asga S/A
• Município: Campinas
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Laser
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Epitaxia | Heteroestruturas | Laser Potencia | Materiais Iii-V | Mocvd | Processamento

Resumo

Neste projeto pretendeu-se desenvolver a fabricação de um protótipo encapsulado de um laser de potência com emissão em 808 nm, baseado em heteroestruturas de GaAs/InGaAsP/InGaP. As características de desempenho do dispositivo foram adequadas às aplicações para o uso em equipamentos médicos e o bombeamento de lasers de Nd:YAG. Pretendeu-se, também, viabilizar a fabricação de lasers com emissão em 880 e 980 nm, objetivando aplicações no bombeio de lasers de estado sólido e telecomunicações. As características de desempenho previstas foram: 2 W de potência no modo contínuo (cw) com corrente de funcionamento de 3-5 A, largura espectral em torno de 2 nm e divergência do feixe na faixa de 40° e 10° nas direções perpendicular e paralela à região ativa, respectivamente. O projeto envolveu a colaboração do Laboratório de Optoeletrônica do Convênio Fundação CPqD/ABTLuS, sediado em Campinas (SP), com a AsGa Microeletrônica, empresa sediada em Paulínia (SP). (AU)