"structure and properties of diamond films deposited on porous silicon"."nitrogenated diamond produced by...".

• Processo: 99/08192-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Publicações científicas - Artigo
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2000
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Vitor Baranauskas
• Beneficiário: Vitor Baranauskas
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Diamante Silício poroso Energia de ativação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Diamante | Energia De Ativacao | Nitrogenacao | Semicondutores | Silicio Poroso | Superficie Do Diamante