Defeitos complexos em semicondutores: aplicações em spintrônica e materiais de gap largo

• Processo: 05/00668-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2006
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2008
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gustavo Martini Dalpian
• Beneficiário: Gustavo Martini Dalpian
• Instituição Sede: Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 05/03961-5 - Defeitos complexos em semicondutores: aplicações em spintrônica e materiais de gap largo, BP.JP
• Assunto(s): Superfície física Semicondutores Spin
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Interfaces | Semicondutores | Superficies | Teoria
• Publicação FAPESP: https://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_237_186_186.pdf

Resumo

O presente projeto visa o estudo de defeitos complexos em semicondutores magnéticos diluídos (DMS) e em semicondutores de gap largo utilizando métodos de primeiros princípios baseados na teoria do funcional da densidade. DMSs são materiais de extrema relevância para o desenvolvimento de dispositivos utilizando-se os princípios da spintrônica. Entre as aplicações desse tipo de material estão dispositivos futuros baseados em correntes de spin e o computador quântico. Os semicondutores de gap largo que serão utilizados são o GaN e o ZnO. O GaN possui enormes aplicações para dispositivos óticos, como os LEDs azuis; o ZnO é um material novo, com potenciais aplicações similares ao GaN. Alguns dos defeitos a serem estudados são: metais de transição juntamente com átomos doadores ou aceitadores em GaAs, GaN e ZnO; defeitos intrínsecos em GaN e ZnO sob pressão; propriedades de crescimento de metais de transição em GaAs (100) e GaN (100); defeitos em interfaces de GaAs/MnAs. (AU)