Deposição e caracterização de películas de nitreto de silício: aplicação em células solares de silício multicristalino

• Processo: 92/00494-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1992
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 1993
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Maria Aparecida Godoy Soler
• Beneficiário: Maria Aparecida Godoy Soler
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Silício Células solares

Resumo

O projeto proposto envolve a deposição, caracterização e otimização de uma película de nitreto de silício a ser utilizada como camada anti-refletora e contribuir para a passivação de defeitos na região frontal da célula solar. A película de nitreto de silício será depositada em um reator do tipo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Os efeitos da deposição da película de nitreto de silício sobre o desempenho da célula solar serão analisados a partir de medidas de resposta espectral e da característica IxV. Como resultado, a deposição de nitreto de silício será incluída no processo para a obtenção de células solares de silício multicristalino melhorando o desempenho dos dispositivos. Este trabalho visa a dar continuidade aos desenvolvimentos obtidos com relação à passivação de defeitos na região posterior em células solares de silício semicristalino que apresentaram resultados satisfatórios. Com o trabalho proposto pretende-se otimizar a resposta das células na região do emissor. (AU)