Su Huai Wei | National Renewable Energy Laboratory - Estados Unidos

• Processo: 01/09588-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 02 de abril de 2002
• Data de Término da vigência: 16 de abril de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Pesquisador visitante: Su Huai Wei
• Instituição do Pesquisador Visitante: National Renewable Energy Laboratory (NREL), Estados Unidos
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Superfícies Simulação por computador Materiais amorfos Termodinâmica Propriedades eletrônicas Metais de transição Silício Germânio Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amorfos | Calculos Ab Initio | Defeitos | Semicondutores | Simulacao Computacional | Superficies

Resumo

Investigaremos propriedades eletrônicas, estruturais e termodinâmicas de defeitos em ligas de Silício Germânio cristalino e amorfo e de metais de transição na superfície do GaAs. O estudo será feito utilizando-se várias ferramentas teórico-computacionais entre elas: Cálculos de energia total e propriedades eletrônicas através de métodos ab initio como a Teoria do Funcional Densidade e o método dos pseudopotenciais. Além disso, a determinação da estrutura configuracional da liga amorfa será feita de duas formas alternativas: Resfriamento simulado por meio de potenciais clássicos empíricos e modelamento através de redes aleatórias sem defeitos topológicos. (AU)