Ian G. Brown | Lawrence Berkeley Laboratory - Estados Unidos

• Processo: 93/04818-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 20 de abril de 1995
• Data de Término da vigência: 10 de maio de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
• Beneficiário: Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
• Pesquisador visitante: Ian G. Brown
• Instituição do Pesquisador Visitante: Lawrence Berkeley National Laboratory, Estados Unidos
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Deposição de filmes finos Ferramentas de corte Deposição química por vapor CVD Implantação iônica Diamantes CVD Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Carbeto De Silicio | Deposicao Quimica E Vapor | Diamante | Ferramentas De Corte | Filmes Finos | Implantacao Ionica

Resumo

Serão depositados filmes de diamante sobre pastilhas de carbeto de silício para tornos. Estas pastilhas serão preparadas de diversas formas, como por exemplo: polindo a superfície com pó de diamante; espalhando sobre ela pó de diamante ou grafite; efetuando implantação iônica com diversos elementos; e eventuais combinações destas preparações. A caracterização constará de: Espectroscopia Raman, Microscopia Eletrônica de Varredura e a utilização das ferramentas para tornear aço inoxidável, com a finalidade de testar a dureza e aderência do filme de diamente, nas condições de trabalho da ferramenta. O objetivo deste projeto é determinar qual o melhor tratamento prévio das pastilhas de carbeto de silício para a deposição de filmes de tomando como critério o tempo de vida da ferramenta. (AU)